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Hamburg, Carl von Ossietzky

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Dissertation zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:gbv:18-993
URL: http://ediss.sub.uni-hamburg.de/volltexte/1999/99/


Bestimmung der Struktur komplexer Halbleiter-Oberflächenrekonstruktionen mit Röntgenbeugung

Bunk, Oliver

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SWD-Schlagwörter: Silicium , Germanium , Kristallfläche , Adsorption , Röntgenbeugung , Synchrotronstrahlung
Basisklassifikation: 33.68 , 33.05
Institut: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Dissertation
Hauptberichter: Johnson, Robert L. (Prof. Dr.)
Sprache: Deutsch
Tag der mündlichen Prüfung: 08.12.1999
Erstellungsjahr: 1999
Publikationsdatum: 01.01.1999

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