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Hamburg, Carl von Ossietzky

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Dissertation zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:gbv:18-2105
URL: http://ediss.sub.uni-hamburg.de/volltexte/2000/210/


In-situ Trockenätzen und molekularstrahlepitaktisches Überwachsen als Methode zur Herstellung von niederdimensionalen Elektronensystemen

Kramp, Stefan

pdf-Format:
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SWD-Schlagwörter: Galliumarsenid , Aluminiumarsenid , Heterostruktur , Trockenätzen , Molekularstrahlepitaxie
Basisklassifikation: 33.68
Institut: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Dissertation
Hauptberichter: Hansen, Wolfgang (Prof. Dr.)
Sprache: Deutsch
Tag der mündlichen Prüfung: 30.05.2000
Erstellungsjahr: 2000
Publikationsdatum: 01.01.2000

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