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Dissertation zugänglich unter
URN: urn:nbn:de:gbv:18-5556
URL: http://ediss.sub.uni-hamburg.de/volltexte/2001/555/


Ultrahochvakuum-Präparation und Charakterisierung von InAs(100)-Oberflächen

Naumann, Werner

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SWD-Schlagwörter: Indiumarsenid , Kristallfläche
Basisklassifikation: 33.68 , 33.72 , 33.09
Institut: Physik
DDC-Sachgruppe: Physik
Dokumentart: Dissertation
Hauptberichter: Anton, Rainer (Prof. Dr.)
Sprache: Deutsch
Tag der mündlichen Prüfung: 08.01.2002
Erstellungsjahr: 2001
Publikationsdatum: 01.01.2001

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