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Titel: In-situ Trockenätzen und molekularstrahlepitaktisches Überwachsen als Methode zur Herstellung von niederdimensionalen Elektronensystemen
Sprache: Deutsch
Autor*in: Kramp, Stefan
GND-Schlagwörter: Galliumarsenid; Aluminiumarsenid; Heterostruktur; Trockenätzen; Molekularstrahlepitaxie
Erscheinungsdatum: 2000
Tag der mündlichen Prüfung: 2000-05-30
URL: https://ediss.sub.uni-hamburg.de/handle/ediss/593
URN: urn:nbn:de:gbv:18-2105
Dokumenttyp: Dissertation
Betreuer*in: Hansen, Wolfgang (Prof. Dr.)
Enthalten in den Sammlungen:Elektronische Dissertationen und Habilitationen

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