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Titel: Molecular beam epitaxy growth and structural property of self-assembled InAs quantum dots on GaAs
Sprache: Englisch
Autor*in: Zhang, Kai
GND-Schlagwörter: Galliumarsenid; Indiumarsenid; Quantenpunkt
Erscheinungsdatum: 2000
Tag der mündlichen Prüfung: 2000-08-25
URL: https://ediss.sub.uni-hamburg.de/handle/ediss/881
URN: urn:nbn:de:gbv:18-2403
Dokumenttyp: Dissertation
Betreuer*in: Hansen, Wolfgang (Prof. Dr.)
Enthalten in den Sammlungen:Elektronische Dissertationen und Habilitationen

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